44000 иен ( без налогов ).2013 год первая версия 1..NTS фирма
б/у . коробка . царапина загрязнения есть . кроме того вписывание . заметный загрязнения и т.п. нет ( лот перед тем вкратце проверка делает ., проглядеть . если есть простите пожалуйста )..
[ после покупки 24 часов в течение обязательно сообщение ., прибытие товара. следующий до дня . руководство по осуществлению сделки. [ квитанция связь ]. пожалуйста ]
[ после окончания аукциона 3 дней в течение. платеж пожалуйста ( новый клиент. конец. следующий до дня . платеж пожалуйста .]
выпускать фирма ознакомление документ
● устройство. высокая эффективность .. не возможно нет . высокое качество . половина проводник материал . выгода . поэтому. [ кристалл рост технология ]. ознакомление
● следующего поколения. разнообразные post силикон половина проводник . материал другой . подробности .
● один .. . кисть . по причине новейший. . видеть . размещение
доставка , letter pack почтовый сервис плюс (520),
суббота и воскресенье за исключением праздников платеж. этот день кроме того, на следующий день . отправляем
( плохой погода когда . новогодние каникулы. , отправка . опаздывает бывает )
отмена ставки. воздержитесь пожалуйста .
новый клиент . оценка 10 и меньше person , оценка . плохой . много person. , отдел останавливать .. доставка не делает .
упаковка относительно
винил . конверт . упаковка. .
амортизирующий материал .. упаковка . если желаете 110 иен . плата пожалуйста ( стоимость доставки . бывает меняется ).
mo жребий
. теория
1. следующего поколения electronics область. урок .. ожидать
2. следующего поколения кристалл . половина проводник незначительный . форма .. урок .
кристалл . половина проводник nano незначительный .. ... электронный предмет . имеющий отношение вещество наука
no. 1 глава he терроризм epi takisi-. основа Sato ..
1. сначала
2. epi takisi- - какой-либо
3. he терроризм epi takisi-... целый .
4. . расширение . число разница
5. полярность * неполярный he терроризм рост - anti phase домен
6. .. не целый .. epi taki автомобиль ru рост . давать . влияние
7. необычность вид .. стоимость he терроризм рост -Ⅲ-Ⅴ группа половина проводник основа доска сверху к Ⅱ-Ⅵ группа половина проводник слой. epi taki автомобиль ru рост
8. .. не целый . раз . есть случай . вращение ранг . сдерживание делать рост технология
9. рост территория выбор рост ( микро канал epi takisi-) по причине ошибка Fit вращение ранг. уменьшение
10. nano провод рост что касается ... толщина больше большой . nano провод . использован вертикальный транзистор. осуществление
11. o сравнительно
no. 2 глава кристалл . половина проводник epi taki автомобиль ru рост. квантовый теория вдавлено гора .
1. nano ... квантовый теория
2. ena-jetiks. Dyna Miku s
3. плотность .. число теория по причине крупный * длина час счет
4. силикон поверхность сверху. рассеивание * рост * кислота .
5. выставка .
no. 3 глава CVD закон по причине SiGe(C) серия epi taki автомобиль ru рост что касается .. слой рост управление ... слой do- булавка g
1. сначала
2. CVD закон по причине SiGe(C) серия epi taki автомобиль ru рост
3. SiGe(C) серия .. слой рост ... слой do- булавка g
4. суммировать
post силикон половина проводник nano незначительный . кристалл рост . структура электронный предмет . управление
no. 1 глава широкий Gap половина проводник SiC
no. 1. экономия энергии половина проводник разработка ... делать SiC разработка. текущее состояние
1. сначала
2. энергия electronics кожа новый. смысл ., важное .
3. широкий Gap половина проводник . электроэнергия изменение контейнер к эффект
4. Si устройство .SiC устройство. другой
5. SiC половина проводник энергия устройство разработка. текущее состояние
6. незначительный . форма . технология как. сейчас последующий урок .
7. суммировать
no. 2. широкий Gap половина проводник. поверхность . epi taki автомобиль ru рост север . подлинный
1. сначала
2. SiC. кристалл много форма
3. SiC. поверхность структура . epi taki автомобиль ru рост
4. CVD epi taki автомобиль ru рост .δdo-p слой форма структура
5. SiC - DioMOS устройство
6. o сравнительно
no. 3. CVD по причине SiC. epi taki автомобиль ru рост механизм камень рисовое поле ..
1. сначала
2. SiC epi taki автомобиль ru рост. особенность
3. подножка поток управление epi takisi- закон
4. SiC что касается epi taki автомобиль ru рост. .. механизм
5. суммировать
no. 4. SiC устройство процесс что касается новый поверхность *. поверхность модифицировано качество технология
1. сначала
2. SiC. MOS устройство произведение производства процесс
3. POCl3a Neal по причине . поверхность . ранг а также . поверхность близко . кислота .. ловушка. снижение
4. SiO2/SiC. поверхность . внедрение сделал ... химия соединение состояние
5. POCl3a Neal по причине MOSFET особенности. улучшение
6. MOSFET особенности. температура ...
7. суммировать
no. 2 глава Ⅲ группа - азот предмет серия половина проводник
no. 1. .. предмет половина проводник. особенность . устройство перемещение направление Takeuchi ..
1. сначала
2. .. предмет половина проводник. особенность
3. .. предмет половина проводник устройство. перемещение направление
4. o сравнительно
no. 2. .. предмет половина проводник кристалл инженерия . незначительный . рост управление
1. низкотемпературный bafa слой по причине GaN одиночный кристалл незначительный . рост
2. ELO технология по причине вращение ранг. снижение
3. GaN незначительный . рост что касается полярность управление
4. не полярность поверхность. незначительный . рост
5. o сравнительно
no. 3 глава Ⅳ группа высота перемещение раз половина проводник Ge
no. 1. Ge CMOS разработка что касается торцевая дверь кислота .. форма .. . поверхность управление птица море Akira
1. сначала
2. Ge. . поверхность управление
3. MOSFET технология
4. суммировать
no. 2. ue - склеивание по причине Ge - On - Insulator основа доска. разработка .. поверхность управление
1. сначала
2. GeOI основа доска ue - склеивание технология
3. GeOI основа доска что касается Ge/BOX. поверхность. ...* химия . структура
4. GeOI основа доска что касается Ge/BOX. поверхность. электрический . особенности
5. высота багажник перемещение раз Ge(111)- OI основа доска
6. низкий . поверхность . ранг плотность GeOI основа доска поэтому. Al2O3/SiO2 hybrid BOX слой
7. суммировать
no. 3. Ge epi taki автомобиль ru рост . незначительный . структура управление средний . .
1. Ge незначительный .. epi taki автомобиль ru рост технология
2. he терроризм epi taki автомобиль ru рост . вращение ранг структура. управление
3. Ge поверхность ... управление
4. не оригинальный предмет .. а также багажник предмет .. управление
5. o сравнительно
no. 4 глава Ⅲ-Ⅴ группа .. предмет половина проводник
no. 1. Ⅲ-Ⅴ группа .. предмет половина проводник. nano структура epi taki автомобиль ru рост механизм
1. сначала
2. MEE. рост процесс
3. MEE закон по причине выбор epi taki автомобиль ru рост
4. мельчайший маленький структура . таблица ..fa комплект структура
5. As4. использован MEE закон по причине GaAs(001) основа доска сверху к точка структура рост
6. As2. использован MEE закон по причине GaAs(001) основа доска сверху к SAE
7. As4. использован (111)B поверхность сверху. GaAs. SAE
8. As2. использован (111)B поверхность сверху. GaAs. SAE
9. o сравнительно
no. 2. tera ад tsu electronics что касается InP серия .. предмет половина проводник частота инженер кольцо . кристалл рост управление криптомерия гора ..
1. сначала
2. InP серия .. предмет половина проводник частота инженер кольцо . кристалл рост
3. InP серия HEMT что касается частота инженер кольцо . epi taki автомобиль ru кристалл рост
4. InP серия RTD что касается частота инженер кольцо . epi taki автомобиль ru кристалл рост
5. суммировать
no. 3. MOCVD закон по причине .. предмет половина проводник. epi taki автомобиль ru рост . устройство разработка выставка .
1. впервые
2. MOCVD закон epi taki автомобиль ru рост оборудование. краткое изложение
3. GaAs серия половина проводник кристалл. MOCVD закон epi taki автомобиль ru рост . устройство отвечающий для пример
4. сейчас последующий устройство разработка выставка .
no. 4. следующего поколения половина проводник как. .. предмет половина проводник. потенциал . устройство разработка. текущее состояние
1. Si платформа сверху. logic для Ⅲ-Ⅴ MOSFET. необходимо .. урок .
2. Si платформа сверху Ⅲ-Ⅴ MOSFET. канал материал . структура
3. Si платформа сверху Ⅲ-Ⅴ MOSFET осуществление поэтому. фактор технология
4. Si платформа сверху Ⅲ-Ⅴ MOSFET. реальный пример
5. суммировать
no. 5 глава кислота . предмет половина проводник
no. 1. следующего поколения половина проводник как. кислота . предмет половина проводник. доверие . возможность
1. сначала
2. кислота . предмет половина проводник. история
3. кислота . предмет половина проводник. предмет .
4. кислота . предмет половина проводник. возможность - ZnO. пример как
5. сейчас последующий выставка .
no. 2. новый широкий Gap половина проводник * кислота . канава um. ... предмет . а также MESFET. произведение оценка
1. сначала
2. Ga2O3. предмет ., особенность
3. высокое качество одиночный кристалл Ga2O3 основа доска
4. Ga2O3 минут . линия epi takisi-(MBE) рост
5. Ga2O3 MESFET
6. суммировать , сейчас последующий развитие
no. 3. широкий Gap кислота . предмет. . поверхность функция разработка . мыс . документ
1. сначала
2. pe Lobb s кайт type кислота . предмет часть высшее не продолжение . поверхность
3. широкий Gap изоляция body . поверхность . использование сделал работа . число управление
4. одиночный оригинальный кислота . предмет что касается полярность поверхность
5. суммировать
no. 6 глава уголь элемент серия половина проводник
no. 1. бриллиант
1 бриллиант структура электронный предмет .. высокая эффективность устройство. возможность
1. сначала
2. новый he терроризм . поверхность .. по причине 2 следующий изначальный правильный . газ. багажник плотность а также перемещение раз. улучшение
3. FET структура оптимальный . по причине высота выдерживающий давление , высота цикл , выдерживающий окружающая среда возможности улучшение
4. высокая плотность bo long do-pp type слой .. супер ... использование сделал бриллиант супер .. устройство разработка
2 n type бриллиант. ... частота инженер кольцо маленький Izumi .
1. половина проводник бриллиант
2. n type половина проводник бриллиант изучение. фон . перемещение направление
3. Lynn do-pn type бриллиант незначительный .. .. рост
4. Lynn do-pn type бриллиант незначительный .. электронный предмет .
5. n type бриллиант . использование сделал половина проводник устройство изучение . сейчас последующий развитие
3 бриллиант. .... глициния выгода дорога
1. сначала
2. (001) основа доска что касается and -p diamond. ho mo epi рост
3. (001) мельчайший . поверхность основа доска что касается and -p diamond. ho mo epi рост
4. (001) мельчайший . поверхность основа доска сверху к ho mo epi рост в зависимости произведение производства сделал diamond независимый .
5. howe элемент do-p diamond. ho mo epi рост
6. азот do-p diamond. ho mo epi рост
7. Lynn do-p diamond. ho mo epi рост
8. мельчайший . поверхность основа доска сверху . ho mo epi рост сделал много слой δ Lynn do-p слой
9. o сравнительно
4 бриллиант. he терроризм epi taki автомобиль ru рост . основа доска целый .. Suzuki один .
1. сначала
2. разнообразные основа доска что касается epi taki автомобиль ru бриллиант рост
3. o сравнительно
5 низкий сопротивление высокая плотность do- булавка g. низкий потеря устройство разработка
1. сначала
2. бриллиант половина проводник. do- булавка g
3. металл .. контакт сопротивление
4. бриллиант. иметь особенность .. свойство
5. низкий сопротивление высокая плотность do- булавка g
6. высокая плотность do- булавка g слой . прямой использование сделал энергия устройство разработка
7. суммировать
no. 2. graph .n
1 graph .n electronics. возможность
1. CMOS технология . graph .n
2. graph .n предмет .. электрический особенности
3. graph .nFET произведение производства процесс
4. graph .n. различные урок .
5. graph .n. RF устройство отвечающий для
6. o сравнительно
2 epi taki автомобиль ru graph .n. электронный состояние
1. graph .n. электронный состояние
2. SiC основа доска сверху . epi taki автомобиль ru рост сделал graph .n
3. металл основа доска сверху .. epi taki автомобиль ru graph .n
4. o сравнительно
3 устройство развитие . направление разряд graph .n соединение . процесс. текущее состояние . урок . близко глициния большой самец
1. сначала
2. graph .n соединение. ... текущее состояние
3. graph .n соединение что касается урок .. устройство . к выставка .
4. graph .n устройство осуществление . направление разряд урок .. текущее состояние
5. сейчас последующий выставка .
кристалл рост *.. закон
no. 1 глава hyde ride .. рост закон ~ InN. пример как ~
1. сначала
2. .. предмет половина проводник кристалл HVPE рост. . динамика ..
3. InN. HVPE рост
4. передний . body 2 -ступенчатый сырой .HVPE по причине InN рост
5. o сравнительно
no. 2 глава Na паяльный флюс закон по причине GaN кристалл выращивание технология
1. сначала
2. Na паяльный флюс закон по причине GaN кристалл выращивание технология
3. суммировать
no. 3 глава . body соус . жидкость рост закон ~ AlN одиночный кристалл ... пример как ~ Самукава ..
1. .. aluminium (AlN) независимый основа доска. необходимо .
2. .. предмет половина проводник. кристалл рост механизм
3. . body соус AlN. жидкость рост закон. разработка
4. природа . форма .AlN вид кристалл . использован . body соус AlN. жидкость рост
5. . body соус AlN. жидкость рост закон. развитие
no. 4 глава . жидкость закон по причине SiC кристалл рост закон ~ SiC. пример как ~
1. сначала
2. SiC. жидкость рост закон
3. SiC. жидкость рост. текущее состояние
4. o сравнительно
оценка *..
no. 1 глава кристалл . половина проводник незначительный . а также необычность .. поверхность. структура предмет . оценка технология
no. 1. половина проводник незначительный . а также he терроризм . поверхность. .. структура оценка ~ SiC. пример .~
1. сначала
2. SiC epi taki автомобиль ru./ основа доска . поверхность ,pn. поверхность что касается основа низ вращение ранг. . перемещение
3. epi taki автомобиль ru незначительный . слой / основа доска . поверхность близко .. ошибка Fit вращение ранг. высота разборка талант электронный микроскоп наблюдение
4. ион примечание входить . форма . сделал 2 следующий дефект. высота разборка талант электронный микроскоп наблюдение
5. ом . электрод / epi taki автомобиль ru слой . поверхность. .. структура наблюдение
6. суммировать
no. 2. счет наука . основанный половина проводник nano . поверхность структура . электронный предмет .. оценка
1. сначала
2. теория счет. краткое изложение
3. .. слой по причине SBH. менять style
4. . поверхность беспорядок по причине SBH. менять style
5. o сравнительно
no. 3. nano электронный устройство. работа внизу что касается электронный состояние. прямой .. закон. разработка
1. сначала
2. эксперимент
3. результат а также ..
4. суммировать
no. 2 глава электронный минут оптика . оценка изучение
no. 1. половина проводник поверхность структура * электро- груз минут ткань. .. шкала ... осуществление делать пробег . Probe микроскоп
1. сначала
2. пробег . type тоннель микроскоп (STM; Scanning Tunneling Microscope)
3. не контакт type .. промежуток сила микроскоп (NC - AFM;Noncontact Atomic Force Microscope)
4. кельвин сила микроскоп (KPFM;Kelvin Probe Force Microscope)
5. рутил type 2 кислота . titanium (110) поверхность
6. 2 кислота . titanium поверхность. STM наблюдение
7. 2 кислота . titanium поверхность. NC - AFM наблюдение
8. 2 кислота . titanium поверхность. KPFM..
9. o сравнительно
no. 2. свет электронный минут свет закон по причине работа . число . частота выравнивание оценка .. дорога .
1. сначала
2. работа . число оценка. . прибыль
3. свет электронный освобождение . работа . число
4. свет электронный освобождение . частота выравнивание
5. o сравнительно
no. 3. отражающий высокая скорость электронный раз . зеркальный отражающий спот. интенсивность измерение . основанный кристалл рост процесс. ..
1. RO. ... рост механизм
2. электронный линия раз .. теория. краткое изложение
3. RO. механизм
4. o сравнительно
no. 3 глава незначительный .*. поверхность. квантовый теория * счет наука . оценка .. изучение
no. 1. скрепление инженер кольцо по причине половина проводник поверхность состояние map. предположение ...
1. сначала
2. счет способ
3. GaAs поверхность структура
4. InAsnu. слой поверхность структура
5. GaN поверхность структура
6. o сравнительно
no. 2. кислота . силикон основа доска сверху транскрипция graph .n. квантовый . поверхность ... электронный предмет .
1. сначала
2. счет рука закон
3. SiO2 сверху. graph .n. предмет .
4. HfO2 сверху. graph .n
5. суммировать
..~ следующего поколения половина проводник ... electronics выставка .~
1. много sama .. высококачественный . делать половина проводник материал к необходимо .
2. необычность вид материал. . поверхность управление . основанный будущее поколение electronics
вопрос продавцу