б/у . коробка . обложка обратная сторона обложка . немного чуть более .. царапина есть . коробка . примерно 3cm. трещина есть . кроме того вписывание . заметный загрязнения и т.п. нет ( лот перед тем вкратце проверка делает ., проглядеть . если есть простите пожалуйста ).. 

[ после покупки 24 часов в течение обязательно сообщение ., прибытие товара. следующий до дня . руководство по осуществлению сделки. [ квитанция связь ]. пожалуйста ]

[ после окончания аукциона 48 часов в течение. платеж пожалуйста ( новый клиент. конец. 24 часов в течение. платеж пожалуйста .] 

выпускать фирма ознакомление документ

  элемент возможности . левый правый делать [. электро- body ] разработка. самый передний линия !

  половина проводник элемент. мельчайший маленький .. сопровождать различные проблема .. решение делать [ изоляция .]ni макрофильтр .

  технология * наука . урок ., высота . электро- материал * низкий . электро- материал. изучение разработка и т.п. . вежливо . подробности ..

доставка , letter pack почтовый сервис свет (

суббота и воскресенье за исключением праздников платеж. этот день кроме того, на следующий день . отправляем  

( плохой погода когда . новогодние каникулы. , отправка . опаздывает бывает )

отмена ставки. воздержитесь пожалуйста .

новый клиент . оценка 10 и меньше person , оценка . плохой . много person. , отдел останавливать .. доставка не делает .

упаковка относительно

винил . конверт . упаковка. .

амортизирующий материал .. упаковка . если желаете 110 иен . плата пожалуйста ( стоимость доставки . бывает меняется ).

mo жребий

1  electronics что касается ske- кольцо. достижение . изоляция .. технология * наука . урок .

no. 1 глава изоляция .. супер-тонкий .. потребности ( скала . .)

 1. сначала

 2. микросхема что касается транзистор. мельчайший маленький .. необходимо .

 3. транзистор мельчайший маленький .. проблема пункт . эта . решение .

 4. ske- кольцо .

 5. MOSFET торцевая дверь изоляция .. супер-тонкий .. потребности

 6. другой изоляция .. супер-тонкий .. потребности

 7. суммировать

no. 2 глава изоляция body супер-тонкий . что касается квантовый . поверхность предмет .. основа . различные проблема  ( Hasegawa   Британия машина )

 1. high -κ изоляция body незначительный .. иметь MOS структура . эта . поверхность электронный предмет .

 2. металл - половина проводник а также металл - изоляция body . поверхность что касается ferumi. ранг булавка человек g

 3. изоляция body супер-тонкий .. половина проводник. . поверхность что касается частота. .. размещение

 4. изоляция body супер-тонкий .. половина проводник. . поверхность что касается . поверхность дефект . ранг . эта управление

 5. o сравнительно

2  изоляция супер-тонкий . технология ~ минут . проект * обработка * оценка ~

no. 1 глава торцевая дверь s tuck изоляция . проект изучение

no. 1. следующего поколения торцевая дверь изоляция .. материал проект . эта отвечающий для  (. столица  ../ сырой рисовое поле глаз  . превосходящий /.. . история / Chen Jun /. гора  .)

 1. следующего поколения микросхема. торцевая дверь изоляция .. ... урок .

 2. high -κ материал. проект палец игла : электронный структура . кристалл структура из видел материал выбор

 3. high -κ/SiO2. поверхность. управление

 4. дефект. ...

 5. high -κ. Si к прямой контактный .

 6. кислота . предмет. электронный структура . частота офсет

 7. high -κ материал . новый материал .. ..: минут . память к пробовать

 8. торцевая дверь изоляция .... последнее время. тема . сейчас последующий урок .

no. 2. .. слой управление . поверхность . epi taki автомобиль ru рост HfO2 торцевая дверь изоляция . по причине высокая эффективность торцевая дверь s tuck. . производства технология  ( Oota  ../ правый рисовое поле   Синдзи / Morita   line .)

 1. сначала

 2. HfO2 прямой рост поэтому. Si поверхность отделка технология

 3. epi taki автомобиль ru рост по причине Si поверхность к HfO2 изоляция .. прямой рост

 4. o сравнительно

no. 3. X линия свет электронный минут свет . первый .. минут .. дорога счет по причине MOS. поверхность отдел место структура. предмет . изучение ~. электро- показатель . изоляция поломка . электро- .~ (..  мир ./ Kobayashi   большой .)

 1. MOSFET. отдел место структура. предмет .

 2. X линия свет электронный минут свет по причине . электро- показатель. .. закон

 3. первый .. минут .. дорога счет по причине оптика .. электро- показатель. ..

 4. первый .. минут .. дорога счет по причине изоляция поломка . электро- .. ..

 5. суммировать

no. 2 глава оценка . оценка технология

no. 1. EUPS по причине изоляция . поверхность *. поверхность. точный оценка  (.. . более того )

 1. сначала

 2. EUPS. использован , изоляция супер-тонкий .. . качество *. поверхность. точный оценка закон измерение пример

 3. EUPS. изоляция супер-тонкий .. . качество *. поверхность. точный оценка закон . возможность . делать ..

 4. o сравнительно

no. 2. . электро- body поверхность есть близко. электро- груз плотность минут ткань симуляция  (. рисовое поле   Британия один / Noda  ../ камень . ../ внизу гора  ./.. ../ рисовое поле средний  ..)

 1. сначала

 2. электронный оптика оборудование .V th минут ткань

 3. составной . электро- body серия что касается .. электро- груз закон

 4. . электро- body поверхность электро- груз плотность минут ткань симуляция

 5. счет результат . осмотр доказательство

 6. суммировать

3  post силикон * транзистор . торцевая дверь изоляция .

no. 1 глава карбоновый nano камера электро- . эффект type транзистор. торцевая дверь изоляция .( Oono   самец высота )

 1. сначала

 2. CNFET

 3. high -κ изоляция .. поверхность . элемент особенности

 4. o сравнительно

no. 2 глава graph .n канал FET. торцевая дверь s tuck технология  ( хвост . . один )

 1. сначала

 2. graph .n канал FET. основы работа особенности . высокая эффективность . к урок .

 3. торцевая дверь s tuck технология

 4. суммировать

no. 3 глава Ge - MOS соответствует циркон high -κ торцевая дверь s tuck. форма . ( средний остров  .)

 1. сначала

 2. эксперимент способ

 3. результат ...

 4. o сравнительно

4  слой промежуток изоляция .

no. 1 глава  low -κ незначительный . изоляция материал разработка  ( Kudo   один осень )

 1. сначала

 2. слой промежуток изоляция . материал

 3. ILD для low -κ материал разработка. ..

 4. o сравнительно

no. 2 глава нет машина макромолекулы серия много . качество low -κ слой промежуток изоляция . материал NCS. разработка  ( стрела . ./ средний рисовое поле  ../ Nakamura  . 2 )

 1. сначала

 2. типичный изоляция материал

 3. нет машина макромолекулы серия много . качество low -κ слой промежуток изоляция . материал. урок .

 4. нет машина макромолекулы серия много . качество low -κ слой промежуток изоляция . материал NCS. разработка концепция . особенности

 5. Cu/NCS много слой электропроводка форма . час. урок .. меры

 6. Cu/NCS много слой электропроводка. возможности

 7. o сравнительно

no. 3 глава   поли imi Donna no частица по причине следующего поколения low -κ. сырой . ( камень склон  ../.. ./. река   Британия .)

 1. сначала

 2. низкий . электро- показатель . произведение производства касающийся изучение пример

 3. повторный . закон по причине поли imi Donna no структура body. произведение производства

 4. low-κ nano частица .. произведение производства

 5. o сравнительно

no. 4 глава поли imido альтернативный палец направление ~ много ..low -κ поли Ben zoo kissa zo-ru изоляция . материал. разработка ~ ( удача круг   Takahiro / глициния штук . Gou ./ средний .  прямой .)

 1. сначала

 2. PPBO передний . body (t-Boc-prePBO). соединение

 3. t-Boc-prePBO плёнка а также PPBO плёнка. произведение производства а также оценка

 4. свет кислота появление .. использован t-Boc-prePBO плёнка. pa turning

 5. o сравнительно

no. 5 глава эпоксидный серия слой промежуток изоляция плёнка. разработка  ( Nakamura  . самец )

 1. краткое изложение

 2. эпоксидный серия слой промежуток изоляция плёнка. разработка

 3. эпоксидный серия слой промежуток изоляция плёнка (ABF;Ajinomoto Build - up Film)

 4. ABF новое развитие товар

 5. стекло Cross .. композиционный материал стоимость

 6. ультратонкий медь транскрипция плёнка есть ABF

 7. o сравнительно

5  изоляция . форма .. искусство гравировки

no. 1 глава nano electronics . главный .. наконечник .. технология  (. глициния   превосходящий .)

 1. старый незначительный . форма .. смотреть незначительный . форма .. основной . мысль person

 2. настоящее время. незначительный .

 3. незначительный . форма . технология часть вид

 4. PVD закон

 5. CVD закон

 6. re year epi takisi- закон

 7. o сравнительно

no. 2 глава материал. структура проект возможный низкотемпературный * низкий повреждение * средний . частица beam ... сложенный технология  ( Самукава  . 2 )

 1. сначала

 2. средний . частица beam сырой . оборудование

 3. средний . частица beam .. изоляция .. сложенный технология концепция

 4. супер низкий . электро- показатель .. осуществление

 5. средний . частица beam по причине Si а также Ge низкотемпературный высокое качество кислота . технология

 6. суммировать

no. 3 глава торцевая дверь изоляция . форма . технология ~ высокая эффективность high-κ изоляция . торцевая дверь s tuck структура сооружение ... условия (high -κ/Ge серия . пример как ) ( рисовое поле холм  ../ состояние полный  . Akira )

 1. сначала

 2. Ge кислота . предмет. особенности

 3. Ge MOS. поверхность. . поверхность слой по причине особенности управление

 4. суммировать . сейчас последующий урок .

no. 4 глава high-κ.. dry искусство гравировки  ( топор   высота один )

 1. сначала

 2. high-κ изоляция . материал. искусство гравировки

 3. BCl3 плазма по причине HfO2 искусство гравировки

 4. metal электрод материал. искусство гравировки

 5. o сравнительно

no. 5 глава слой промежуток изоляция .. ... искусство гравировки  ( Ishikawa  ../. .)

 1. сначала

 2. nano электро ks что касается электропроводка форма . процесс

 3. слой промежуток изоляция .. ..

 4. слой промежуток изоляция .. искусство гравировки

 5. устройство особенности к влияние

 6. суммировать

6  nano electronics . изоляция . технология выставка .

 1. изоляция .. свойство . значение

 2. . поверхность особенности . менять style побудить совершить изоляция .

 3. изоляция .. электрический . доверие . новый функциональность

 4. новый материал . изоляция .. . поверхность

 5. o сравнительно

автор список

  скала . .   Tokyo промышленность университет Frontier изучение механизм  ..

  Hasegawa   Британия машина   Hokkaido университет   название .../ independent административное право человек физика и химия изучение место   покупатель участник . труба изучение участник

 . столица  ..   independent административное право персона качество * материал изучение механизм MANA nano electronics материал единица единица длина

  сырой рисовое поле глаз  . превосходящий   independent административное право персона качество * материал изучение механизм MANA - MANAfaundoli.. деньги ja-

 .. . история   independent административное право персона качество * материал изучение механизм nano electronics материал единица половина проводник особенности оценка группа   группа Leader

 Chen Jun   independent административное право персона качество * материал изучение механизм nano electronics материал единица половина проводник особенности оценка группа   изучение участник

 . гора  .   independent административное право персона качество * материал изучение механизм nano electronics материал единица половина проводник устройство материал группа   изучение участник

  Oota  ..   independent административное право человек промышленность технология обобщенный изучение место nano electronics изучение группа силикон nano устройство группа  .. изучение участник

  правый рисовое поле   Синдзи   independent административное право человек промышленность технология обобщенный изучение место nano electronics изучение группа силикон nano устройство группа  .. изучение участник

  Morita   line .   independent административное право человек промышленность технология обобщенный изучение место nano electronics изучение группа силикон nano устройство группа  .. изучение участник

 ..  мир .   independent административное право человек космос авиация изучение разработка механизм космос . Gakken . место  ...

  Kobayashi   большой .   independent административное право человек космос авиация изучение разработка механизм космос . Gakken . место  ..

 .. . более того   independent административное право человек промышленность технология обобщенный изучение место измерение Frontier изучение группа   изучение ..

 . рисовое поле   Британия один   название замок университет . инженерия часть электрика и электроника . ...

  Noda  ..   название замок университет . инженерия часть электрика и электроника . 

  камень . ..   название замок университет . инженерия часть электрика и электроника . 

  внизу гора  .   название замок университет . инженерия часть электрика и электроника . ..

 .. ..   акционерное общество Ricoh изображение двигатель разработка книга@ часть  sinia special список

  рисовое поле средний  ..   акционерное общество Ricoh изображение двигатель разработка книга@ часть   Associe ito

  Oono   самец высота   Nagoya университет университет .. Gakken .. ...

  хвост . . один   Tohoku университет сообщение изучение место Broad частота . Gakken . группа  ../ independent административное право человек наука технология .. механизм стратегия .. структура изучение проект CREST

  средний остров  .   Kyushu университет производство . полосный . центральный  ..

  Kudo   один осень   Tokyo большой студент производство технология изучение место  ..

  стрела . .   акционерное общество Fujitsu изучение место основа технология изучение место   место длина

  средний рисовое поле  ..   акционерное общество Fujitsu изучение место основа технология изучение место сборник сложенный технология изучение часть  .. изучение участник

  Nakamura  . 2   акционерное общество Fujitsu изучение место основа технология изучение место  sini Adi rekta-

  камень склон  ..   independent административное право человек промышленность технология обобщенный изучение место compact химия система изучение центральный изучение участник

 .. .   Tohoku университет много изначальный вещество . Gakken . место  ...

 . река   Британия .   Tohoku университет много изначальный вещество . Gakken . место  ..

  удача круг   Takahiro   Kyushu университет университет .. Gakken .. отвечающий для химия группа

  глициния штук .  Gou .   Kyushu университет университет .. Gakken .. отвечающий для химия группа  ...

  средний .  прямой .   Kyushu университет университет .. Gakken .. отвечающий для химия группа /WPI, карбоновый нейтральный * энергия международный изучение место  ..

  Nakamura  . самец   Ajinomoto акционерное общество Vaio * штраф проект книга@ часть Vaio * штраф изучение место материалы * применение разработка изучение место материалы разработка изучение .  функция материал группа длина

 . глициния   превосходящий .   Nagaoka технология наука университет вещество * материал серия  .. длина /..

  Самукава  . 2   Tohoku университет жидкость . Gakken . место жидкость .. изучение центральный  ..

  рисовое поле холм  ..   Nagoya университет университет .. Gakken ..  Special ....

  состояние полный  . Akira   Nagoya университет университет .. Gakken .. ..

  топор    высота один   Kyoto университет университет .. Gakken .. ..

  Ishikawa  ..   Nagoya университет университет .. Gakken .. плазма nano . Gakken . центральный   Special ...

 . .   Nagoya университет университет .. Gakken .. ..

  птица море   Akira   Tokyo университет университет . инженерия серия изучение . ..